上海新微半導體有限公司（簡稱“新微半導體”或“公司”）今日宣布，包括MPD（Monitor Photodetector）、10G-25G PD（Photodetector）及56G Pulse Amplitude Modulation 4-level (PAM4) PD在內的系列光電探測器工藝平臺開發完成，具有高響應度、高靈敏度、高速度和低暗電流等特性，可為客戶提供低成本、低功耗和高效的芯片解決方案，產品可廣泛應用于通信、工業、醫療和消費電子等眾多終端應用領域。
新微半導體擁有一套完整的先進工藝制程與特色工藝解決方案?；诹谆煟↖nP）材料的10G-25G PD與MPD工藝平臺，涵蓋外延生長、鋅擴散、步進式光刻和側壁處理等關鍵工藝。基于該平臺生產的用于GPON、XGPON和Combo PON OLT的光接收芯片，其特性與后端跨阻放大器等電路在電特性上有良好地匹配，以保證有足夠大的轉換系數、線性范圍、信噪比及快速的動態響應等。
MPD
MPD光電特性參數（T=25℃）：
25G PD
25G PD光電特性參數（T=25℃）：
56G PAM4
56G PAM4光電特性參數（T=25℃）:
新微半導體還通過自主外延研發與量產工藝線研發了3吋及4吋InP基探測器外延晶圓工藝技術、鋅擴散外延晶圓工藝技術以及帶原位p型摻雜的全結構InP基探測器外延晶圓工藝技術，滿足了光通信與傳感識別客戶對外延產品定制化需求。其中10G-25G PD 4吋晶圓外延片是中國大陸首次利用4吋InP基光芯片量產線驗證研發的4吋InP基光電外延片。
在產品質量方面，新微半導體擁有一套完整全面的質量管理體系，從物料管理到工藝流程記錄檢驗，可實現工藝過程全追溯，并配有到TO、模塊級的封裝測試及老化測試系統，確保了產品一致性、工藝技術穩定性的優勢。新微半導體亦提供設計支持服務與晶圓測試等增值服務以加快客制產品進入市場的時間，為客戶創造更高的商業價值。
新微半導體致力于最大程度降低產品集成復雜性、成本并縮短交付周期，同時公司還建立了PD/APD探測器高低溫暗電流、帶寬及響應度晶圓級測試能力。未來，新微半導體光電芯片產品將從高速PD向高速高靈敏度APD以及集成光電接收芯片發展，為接入網及傳輸網等基礎設施建設貢獻“芯”力量。
