2023年5月18日，上海新微半導體有限公司（簡稱“新微半導體”或“公司”）宣布，基于硅基氮化鎵（GaN-on-Si）6吋/150 mm晶圓的40V增強型（p-GaN）功率器件工藝平臺開發完成，正式發布量產。該工藝平臺采用業界領先的無金工藝和集成電路互聯，支持Through-GaN-Via（TGV）和Circuit-Under-Pad （CUP），相比傳統的硅基功率芯片，具有更低的導通電阻、更快的開關速度和更小的尺寸。
基于該工藝平臺生產的功率器件憑借低柵極、低導通電阻和高可靠性等眾多優勢，為低壓功率轉換場景提供更小物理尺寸、更輕重量和更節能的解決方案。憑借這些優秀的特征，該工藝平臺可為終端應用市場提供具有卓越品質、更小面積和更低成本的功率產品，可廣泛用于手機、平板電腦和筆記本電腦等終端領域。
40 V氮化鎵功率器件截面示意圖
新微半導體40 V氮化鎵功率器件工藝平臺擁有較大的工藝窗口，并具有良好的一致性和穩定性的工藝保障。其采用的無金工藝，RC < 0.4 Ω·mm；柵極采用自對準工藝，使得柵極形貌良好，且最小線寬低至0.5μm。同時還采用了（接觸孔鎢）鎢栓、晶圓表面全局平坦化（CMP）等集成電路互聯工藝，并支持Circuit-Under-Pad。其優良性能獲得客戶的高度認可，已成功導入多家客戶設計。
基于該工藝制備的器件典型參數
基于該工藝制備的器件局部圖
新微半導體還擁有自己的功率外延技術。該技術采用了業界廣泛應用的硅基氮化鎵異質外延以降低成本。由于氮化鎵和硅具有較大的晶格失配以及熱膨脹系數的差異，因此高品質的6吋硅基氮化鎵外延極具挑戰。新微半導體外延技術團隊通過應力調控、有源層設計等技術，針對多種不同應用場景開發出高質量6吋硅基氮化鎵外延工藝，實現了低缺陷密度的硅基氮化鎵外延，可滿足高、低壓多種功率器件應用。
6吋硅基氮化鎵功率外延結構示意圖及外延層厚度map圖
開局即沖刺，新微半導體氮化鎵功率器件工藝平臺跑出加速度。新微半導體將陸續推出100V、150V和650V等中、高壓功率器件量產工藝，憑借高效、高頻和高可靠性等卓越特征，助力廣大客戶在消費類、工業、通信等多個應用領域中大放異彩。敬請期待。
