2025年6月17日，上海新微半導體有限公司（簡稱“新微半導體”或“公司”）正式發布基于砷化鎵（GaAs）的高速和陣列光電探測器（PD, Photodetector）工藝平臺。該平臺具備低暗電流、低電容、高響應度、高帶寬及高可靠性等優越性能，其發布標志著新微半導體在高速數據通信與光通信領域業務板塊的進一步拓展，可以為客戶提供更豐富、更高效和更可靠的光電解決方案。
在性能表現上，該工藝平臺代工的產品能夠在 -40℃ 到 85℃ 的寬溫范圍內穩定運行，確保設備在嚴寒、高溫等嚴苛環境下的性能一致性，保障終端設備可靠運行。在可靠性驗證上，其代工產品已通過Telcordia GR468可靠性標準測試，涵蓋HTOL（高溫工作壽命）、ESD（靜電放電）、T/C（溫度循環）及THB（高溫高濕壽命）等關鍵測試項目。在175℃的HTOL測試以及THB（溫度 85℃、濕度 85%RH）測試環境中，施加 -5V 偏置電壓條件，三批產品（抽樣標準 77 顆樣品）經過 2000 小時老化后，均實現零失效，產品可靠性滿足通信級標準。
新微半導體的GaAs PD代工工藝平臺采用了 4 英寸GaAs/AlGaAs異質結外延技術，結合深臺面刻蝕、側壁鈍化及BCB/PBO平坦化等關鍵工藝。這不僅確保了產品的一致性與穩定性，還易于實現規模化量產，有效降低生產成本。更值得一提的是，通過與公司的垂直腔面發射激光器（VCSEL）工藝平臺協同優化，可為客戶提供高性價比、低功耗的收發組合解決方案，助推高速傳輸網絡建設與光電行業高效化發展。
作為業內少數具備砷化鎵、磷化銦探測器和激光器雙工藝平臺的晶圓代工企業，新微半導體已構建從外延生長、晶圓制造到可靠性驗證的全鏈條服務能力，全方位滿足客戶多樣化需求。本次GaAs PD工藝平臺的推出，將進一步鞏固新微半導體在光電通信領域的競爭力，通過優質代工服務助力客戶搶占市場先機，共拓通信產業新未來。
